ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า
( Field-Effect Transistor ; FET)
ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า
คือ
ทรานซิสเตอร์ที่ใช้สนามไฟฟ้าในการเปลี่ยนแปลงสภาพของสารกึ่งตัวนำเพื่อให้เกิดการนำกระแสเมื่อได้รับแรงดัน
ไฟฟ้าที่เหมาะสม
โดยทั่วไปมักเรียกชื่อย่อว่า
"เฟท"
เฟทแบ่งออกเป็น
2 กลุ่ม คือ ทรานซีสเตอร์สนามไฟฟ้าแบบรอยต่อ
(Juntino Field Effect Transistor) หรือ เจเฟท
(JFET) และ ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าแบบโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งนำ
(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) หรือ
มอสเฟท (MOSFET)
ในที่นี้จะกล่าวถีง
MOSFET เท่านั้น
มอสเฟทจะแบ่งออกเป็น
2 ชนิด คือ ดีพลีชั่น
(Depletion) และ เอนÎานซ์เมนต์
(Enhancement)
แต่ละประเภทยังแบ่งออกเป็น
2 แบบ คือ แบบแชนแนล
n และ แบบแชนแนล
p
มอสเฟทประเภท
ดีพลีชั่นหรือดีมอสเฟท
(D-MOSFET) ทั้ง 2 แบบจะทำงานได้
2 โหมด คือ โหมดดีพลีชั่น
(Depletion Mode) และ โหมดเอนÎานซ์เมนต์
(Enhancement Mode) กล่าวคือ
ถ้าจ่ายแรงดันลบให้กับดีมอสเฟทแชนแนล
n จะทำงานในโหมดดีพลีชั่น
แต่ถ้าจ่ายแรงดันบวกจะทำงานในโหมดเอนÎานซ์เมนต์
ส่วนดีมอสเฟทแชนแนล
p ก็จะทำงานคล้ายกันเมื่อ
ได้รับแรงดันที่มีขั้วตรงข้ามกับแบบแชนแนล
n
มอสเฟทประเภทเอนÎานซ์เมนต์หรืออีมอสเฟท
(E-MOSFET)มีโครงสร้างบางอย่างคล้ายกับมอสเฟทแบบดีพลีชั่น
แต่จะทำงานได้เฉพาะโหมดเอนÎานซ์เมนต์เท่านั้น